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退火温度对ZnO薄膜结构和发光特性的影响

孙成伟 刘志文 张庆瑜

物理学报2006,Vol.55Issue(1):430-436,7.
物理学报2006,Vol.55Issue(1):430-436,7.

退火温度对ZnO薄膜结构和发光特性的影响

Influence of annealing temperature on the microstructure and photoluminescence of ZnO films

孙成伟 1刘志文 1张庆瑜1

作者信息

  • 1. 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024
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摘要

关键词

ZnO薄膜/退火/光致发光/射频反应磁控溅射/可见光发射

分类

矿业与冶金

引用本文复制引用

孙成伟,刘志文,张庆瑜..退火温度对ZnO薄膜结构和发光特性的影响[J].物理学报,2006,55(1):430-436,7.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:50240420656)资助的课题. (批准号:50240420656)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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