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基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究

刘道广 张晓菊 徐学良 郝跃 徐世六 李开成 刘玉奎 刘嵘侃 张静 胡辉勇 李培咸

西安电子科技大学学报（自然科学版）2005，Vol.32Issue(3)：432-434,488,4.
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西安电子科技大学学报（自然科学版）2005，Vol.32Issue(3)：432-434,488,4.

基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究

Study of the SiGe HBT based on the self-alignment and air-bridge

刘道广 1张晓菊 2徐学良 3郝跃 1徐世六 2李开成 3刘玉奎 1刘嵘侃 2张静 3胡辉勇 2李培咸3

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071
  • 2. 国家模拟集成电路重点实验室,重庆,400060
  • 3. 中国电子科技集团电子24所,重庆,400060
  • 折叠

摘要

关键词

自对准/最高振荡频率/SiGe合金材料

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘道广,张晓菊,徐学良,郝跃,徐世六,李开成,刘玉奎,刘嵘侃,张静,胡辉勇,李培咸..基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究[J].西安电子科技大学学报（自然科学版）,2005,32(3):432-434,488,4.

基金项目

国家部委预研支持项目(99JS09.2.2.DZ3401) （99JS09.2.2.DZ3401）

西安电子科技大学学报（自然科学版）

OA北大核心CSCD

1001-2400

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