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Ga0.51In0.49P的MOCVD生长特性研究

缪国庆 朱景义 李玉琴 洪春荣 元金山

发光学报Issue(1)：43-46,4.
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发光学报Issue(1)：43-46,4.

Ga0.51In0.49P的MOCVD生长特性研究

缪国庆 1朱景义 1李玉琴 2洪春荣 2元金山2

作者信息

  • 1. 中国科学院长春物理研究所
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摘要

关键词

MOCVD/GaInP生长

分类

信息技术与安全科学

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缪国庆,朱景义,李玉琴,洪春荣,元金山..Ga0.51In0.49P的MOCVD生长特性研究[J].发光学报,1996,(1):43-46,4.

发光学报

OA北大核心CSCD

1000-7032

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