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射频SOI LDMOS功率放大器设计与仿真

陈卫军 马里剑 张海鹏 余厉阳 吕韶义

电讯技术2009,Vol.49Issue(3):43-46,4.
电讯技术2009,Vol.49Issue(3):43-46,4.

射频SOI LDMOS功率放大器设计与仿真

Design and Simulation of RF SOI LDMOS Power Amplifier

陈卫军 1马里剑 1张海鹏 1余厉阳 1吕韶义1

作者信息

  • 1. 杭州电子科技大学RF电路与系统省部共建教育部重点实验室,杭州,310018
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摘要

关键词

射频功率放大器/SOILDMOS/计算机辅助设计与仿真/负载牵引法

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈卫军,马里剑,张海鹏,余厉阳,吕韶义..射频SOI LDMOS功率放大器设计与仿真[J].电讯技术,2009,49(3):43-46,4.

基金项目

国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(AA092239) (863计划)

国家自然科学基金资助项目(60306003) (60306003)

浙江省自然科学基金资助(Y104599) (Y104599)

电讯技术

OA北大核心

1001-893X

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