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铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究

侯识华 宋世庚 马远新 郑毓峰

材料科学与工程2001,Vol.19Issue(3):43-47,5.
材料科学与工程2001,Vol.19Issue(3):43-47,5.

铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究

Preparation of PLZT Ferroelectric Thin Films with Different Excess Pb and Their Electrical Properties

侯识华 1宋世庚 1马远新 2郑毓峰3

作者信息

  • 1. 中国科学院新疆物理研究所
  • 2. 新疆医科大学
  • 3. 新疆大学物理系
  • 折叠

摘要

关键词

Sol-Gel法/PLZT/铁电薄膜/铅过量/电 学性质

分类

数理科学

引用本文复制引用

侯识华,宋世庚,马远新,郑毓峰..铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究[J].材料科学与工程,2001,19(3):43-47,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目( ()

材料科学与工程

OACSCD

1673-2812

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