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纤锌矿InxGal-xN/GaN量子阱中的界面声子-电子相互作用

李伟 张芳 危书义

液晶与显示2008，Vol.23Issue(1)：43-47,5.
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液晶与显示2008，Vol.23Issue(1)：43-47,5.

纤锌矿InxGal-xN/GaN量子阱中的界面声子-电子相互作用

Electron-Interface-phonon Interaction in Wurtzite InxGal-xN/GaN Quantum Wells

李伟 1张芳 2危书义3

作者信息

  • 1. 乎顶山工学院数理系,河南,平顶山,467000
  • 2. 平顶山学院物理系,河南,平顶山,467000
  • 3. 河南师范大学物理与信息工程学院,河南,新乡,453007
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摘要

关键词

GaN/InxGa1-xN/GaN/界面声子-电子相互作用/量子阱

分类

数理科学

引用本文复制引用

李伟,张芳,危书义..纤锌矿InxGal-xN/GaN量子阱中的界面声子-电子相互作用[J].液晶与显示,2008,23(1):43-47,5.

基金项目

河南省教育厅自然科学基础研究计划项目(No.2004140004) （No.2004140004）

液晶与显示

OA北大核心CSCDCSTPCD

1007-2780

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