物理学报2006，Vol.55Issue(8)：4347-4352,6.
氮掺杂Ge2Sb2Te5相变存储器的多态存储功能
Multiple-state storage capability of nitrogen-doped Ge2Sb2Te5 film for phase change memory
赖云锋 1冯洁 1乔保卫 1凌云 2林殷茵 2汤庭鳌 2蔡炳初 1陈邦明3
作者信息
- 1. 上海交通大学微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030
- 2. 复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室,上海,200433
- 3. Silicon Storage Technology, Inc., Sunnyvale 94086, USA
- 折叠
摘要
关键词
相变存储器/多态存储/N掺杂/Ge2Sb2Te5分类
数理科学引用本文复制引用
赖云锋,冯洁,乔保卫,凌云,林殷茵,汤庭鳌,蔡炳初,陈邦明..氮掺杂Ge2Sb2Te5相变存储器的多态存储功能[J].物理学报,2006,55(8):4347-4352,6.
