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带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态

成步文 姚飞 薛春来 张建国 李传波 毛容伟 左玉华 罗丽萍 王启明

物理学报2005,Vol.54Issue(9):4350-4353,4.
物理学报2005,Vol.54Issue(9):4350-4353,4.

带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态

A method to estimate the strain state of SiGe/Si by measuring the bandgap

成步文 1姚飞 1薛春来 1张建国 1李传波 1毛容伟 1左玉华 1罗丽萍 1王启明1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
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摘要

关键词

SiGe合金/应变/带隙

分类

数理科学

引用本文复制引用

成步文,姚飞,薛春来,张建国,李传波,毛容伟,左玉华,罗丽萍,王启明..带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态[J].物理学报,2005,54(9):4350-4353,4.

基金项目

国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010),国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603)和国家自然科学基金(批准号:60336010)资助的课题. (批准号:2002AA312010)

物理学报

OA北大核心CSCDSCI

1000-3290

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