物理学报2006，Vol.55Issue(8)：4353-4357,5.
He离子注入ZnO中缺陷形成的慢正电子束研究
Vacancy-type defects induced by He-implantation in ZnO studied by a slow positron beam
摘要
关键词
慢正电子束/ZnO/离子注入/缺陷分类
数理科学引用本文复制引用
陈志权,河裾厚男..He离子注入ZnO中缺陷形成的慢正电子束研究[J].物理学报,2006,55(8):4353-4357,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:10375043,10075037)资助的课题. （批准号:10375043,10075037）
