量子电子学报2005，Vol.22Issue(3)：436-439,4.
Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性
Optical characteristics of AlGaInP/GaInP multiple quantum wells with Si-doping
摘要
关键词
光电子学/X射线双晶衍射/金属有机化学气相沉积/量子阱/光荧光分类
数理科学引用本文复制引用
谭春华,范广涵,李述体,周天明,黄琨,雷勇..Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性[J].量子电子学报,2005,22(3):436-439,4.基金项目
广州市科技重点计划项目(1999-2-035-1)资助 （1999-2-035-1）
