传感技术学报2006，Vol.19Issue(2)：436-439,453,5.
衬底触发层叠式NMOS实现混合I/O静电保护机制研究
Research of Mixed-Voltage I/O ESD Protection Mechanism Implemented by Substrate-Triggered Technique
吴笛 1李树荣 1姚素英 1徐江涛1
作者信息
- 1. 天津大学专用集成电路设计中心,天津,300072
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摘要
关键词
衬底触发/层叠式NMOS/混合电压I/O/静电保护分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
吴笛,李树荣,姚素英,徐江涛..衬底触发层叠式NMOS实现混合I/O静电保护机制研究[J].传感技术学报,2006,19(2):436-439,453,5.
