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UV-LIGA中光源波长和曝光量对SU-8光刻胶微结构的影响

张晔 陈迪 张金娅 朱军 刘景全

中国机械工程2005，Vol.16Issue(z1)：437-440,4.
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中国机械工程2005，Vol.16Issue(z1)：437-440,4.

UV-LIGA中光源波长和曝光量对SU-8光刻胶微结构的影响

Process Optimization of Optical Lithography of SU-8 Photoresist

张晔 1陈迪 1张金娅 1朱军 1刘景全1

作者信息

  • 1. 上海交通大学,微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030
  • 折叠

摘要

关键词

UV-LIGA技术/SU-8胶/高深宽比微结构/倒角

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张晔,陈迪,张金娅,朱军,刘景全..UV-LIGA中光源波长和曝光量对SU-8光刻胶微结构的影响[J].中国机械工程,2005,16(z1):437-440,4.

基金项目

国家863高技术研究发展计划资助资助项目(2004AA404260) （2004AA404260）

中国机械工程

OA北大核心CSCD

1004-132X

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