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半导体学报
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CZNTD Si 中氧碳对缺陷-杂质复合体行为的影响
CZNTD Si 中氧碳对缺陷-杂质复合体行为的影响
张一心
李朝勇
李光平
何秀坤
卢存刚
李祖华
半导体学报
Issue(7)：438,1.
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半导体学报
Issue(7)
：438,1.
CZNTD Si 中氧碳对缺陷-杂质复合体行为的影响
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张一心,李朝勇,李光平,何秀坤,卢存刚,李祖华..CZNTD Si 中氧碳对缺陷-杂质复合体行为的影响[J].半导体学报,1992,(7):438,1.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN：
1674-4926
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