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基于0.18 μm CMOS工艺的6 GHz环形压控振荡器设计

吴春红 朱恩 王雪艳 郁炜嘉 程树东 王志功

电子器件2003,Vol.26Issue(4):438-440,437,4.
电子器件2003,Vol.26Issue(4):438-440,437,4.

基于0.18 μm CMOS工艺的6 GHz环形压控振荡器设计

6GHz Ring VCO Design Using 0.18 μm CMOS Technology

吴春红 1朱恩 1王雪艳 1郁炜嘉 1程树东 1王志功1

作者信息

  • 1. 东南大学射频与光电集成电路研究所,210096,南京
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摘要

关键词

射频集成电路/压控振荡器/CMOS工艺

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吴春红,朱恩,王雪艳,郁炜嘉,程树东,王志功..基于0.18 μm CMOS工艺的6 GHz环形压控振荡器设计[J].电子器件,2003,26(4):438-440,437,4.

电子器件

OACSCD

1005-9490

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