半导体学报2000，Vol.21Issue(5)：441-444,4.
MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较*
Performance Comparison of GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors Grown by MOCVD and MBE
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- 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海 200083 中国;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海 200083 中国;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海 200083 中国;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海 200083 中国;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海 200083 中国;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海 200083 中国;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海 200083 中国;Department of Electronic Materials Engineering, The Research School of Physical Sciences and Engineering,The Australian National University, Canberra ACT 0200,Australia;Department of Electronic Materials Engineering, The Research School of Physical Sciences and Engineering,The Australian National University, Canberra ACT 0200,Australia;Department of Electronic Materials Engineering, The Research School of Physical Sciences and Engineering,The Australian National University, Canberra ACT 0200,Australia;School of Physics, The University of New South Wales, Sydney NSW 2052, Australia;School of Physics, The University of New South Wales, Sydney NSW 2052, Australia
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摘要
关键词
GaAs/AlGaAs/量子阱红外探测器/MOCVD/MBEPACC:0762/6865/6855/8115G分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
..MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较*[J].半导体学报,2000,21(5):441-444,4.基金项目
国防科工委重点资助项目[Project Supported by National Defence Research Program of China]. （）
