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槽栅MOSFET's的阈值电压解析模型

张晓菊 任红霞 冯倩 郝跃

半导体学报2004,Vol.25Issue(4):441-445,5.
半导体学报2004,Vol.25Issue(4):441-445,5.

槽栅MOSFET's的阈值电压解析模型

An Analytical Model for Threshold Voltage of Grooved-Gate MOSFET's

张晓菊 1任红霞 1冯倩 1郝跃1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071
  • 折叠

摘要

关键词

槽栅/MOSFET/阈值电压/解析模型

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张晓菊,任红霞,冯倩,郝跃..槽栅MOSFET's的阈值电压解析模型[J].半导体学报,2004,25(4):441-445,5.

基金项目

中国科学院科技创新基金(No.CXJJ-55)和信息产业部电子预研基金(No.57.7.6.9)资助项目 (No.CXJJ-55)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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