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Au/Ge/SiO2/p-Si结构中的电流输运特性

陈彦 马书懿

西北师范大学学报(自然科学版)2006,Vol.42Issue(6):44-47,4.
西北师范大学学报(自然科学版)2006,Vol.42Issue(6):44-47,4.

Au/Ge/SiO2/p-Si结构中的电流输运特性

Carrier transport property of Au/Ge/SiO2/p-Si structure

陈彦 1马书懿1

作者信息

  • 1. 西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070
  • 折叠

摘要

关键词

Ge/SiO2薄膜/射频磁控溅射/电流输运

分类

数理科学

引用本文复制引用

陈彦,马书懿..Au/Ge/SiO2/p-Si结构中的电流输运特性[J].西北师范大学学报(自然科学版),2006,42(6):44-47,4.

基金项目

教育部科学技术研究项目(204139) (204139)

甘肃省教育厅科研项目(0501-04) (0501-04)

甘肃省高分子材料重点实验室开放基金资助项目(KF-05-03) (KF-05-03)

西北师范大学学报(自然科学版)

OACSTPCD

1001-988X

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