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MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究

廉鹏 邹德恕 高国 殷涛 陈昌华 徐遵图 陈建新 沈光地 曹青 马骁宇 陈良惠

半导体学报2000，Vol.21Issue(1)：44-50,7.
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半导体学报2000，Vol.21Issue(1)：44-50,7.

MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究

Property of High Quality Carbon Doped GaAs/AlGaAs Materials Grown by MOCVD

廉鹏 1邹德恕 1高国 1殷涛 1陈昌华 1徐遵图 1陈建新 1沈光地 1曹青 2马骁宇 2陈良惠2

作者信息

  • 1. 北京工业大学电子工程系和北京市光电子技术实验室 北京 100022
  • 2. 中国科学院半导体研究所 北京 100083
  • 折叠

摘要

关键词

GaAs/AlGaAs/MOCVD/碳掺杂

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

廉鹏,邹德恕,高国,殷涛,陈昌华,徐遵图,陈建新,沈光地,曹青,马骁宇,陈良惠..MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究[J].半导体学报,2000,21(1):44-50,7.

基金项目

国家自然科学基金(No.69776033)和北京市自然科学基金(No：4961001)资助项目，北京市科委高技术重点课题 （No.69776033）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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