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微波低噪声SiGe HBT的研制

钱伟张进书贾宏勇林惠旺钱佩信

半导体学报2000，Vol.21Issue(5)：445-450,6.

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半导体学报2000，Vol.21Issue(5)：445-450,6.

微波低噪声SiGe HBT的研制

Low Noise Microwave SiGe HBTs

钱伟 ¹张进书 ¹贾宏勇 ¹林惠旺 ¹钱佩信¹

作者信息

1. 清华大学微电子所北京 100084
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摘要

关键词

HBT/SiGe/微波/低噪声EEACC:2560B/2560J

分类

信息技术与安全科学

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钱伟,张进书,贾宏勇,林惠旺,钱佩信..微波低噪声SiGe HBT的研制[J].半导体学报,2000,21(5):445-450,6.

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1674-4926

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