物理学报2008，Vol.57Issue(7)：4456-4458,3.
4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系
The relation between Green-band luminescence of 4H-SiC homoepitaxial layer and defects
摘要
关键词
绿带发光/4H-SiC同质外延/晶体缺陷分类
数理科学引用本文复制引用
贾仁需,张义门,张玉明,郭辉,栾苏珍..4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系[J].物理学报,2008,57(7):4456-4458,3.基金项目
国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:51327020202)和西安-应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200704)资助的课题. （973）
