半导体学报2004，Vol.25Issue(4)：446-449,4.
晶向对InGaP/GaAs HBT性能的影响
Orientation Effects on InGaP/GaAs HBT
摘要
关键词
InGaP/GaAs HBT晶向效应/直流电流增益/截止频率/压电效应/侧向腐蚀分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
石瑞英,刘训春,孙海峰,袁志鹏..晶向对InGaP/GaAs HBT性能的影响[J].半导体学报,2004,25(4):446-449,4.基金项目
国家重点基础研究发展规划资助项目(编号:G200006830403) （编号:G200006830403）
