人工晶体学报2007，Vol.36Issue(2)：448-452,459,6.
退火对PECVD制备的掺磷硅薄膜及其电阻温度系数影响的研究
Influence of Annealing on TCR of Phosphor-doped Amorphous Silicon by PECVD
马铁英 1李铁 2刘文平 1王跃林1
作者信息
- 1. 中国科学院微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,上海,200050
- 2. 中国科学院研究生院,北京,100039
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马铁英,李铁,刘文平,王跃林..退火对PECVD制备的掺磷硅薄膜及其电阻温度系数影响的研究[J].人工晶体学报,2007,36(2):448-452,459,6.
