物理学报2008，Vol.57Issue(7)：4487-4491,5.
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究
Study on mechanism of AIGaN/GaN high electron mobility transistors by high temperature Schottky annealing
摘要
关键词
AlGaN/CaN高电子迁移率晶体管/肖特基接触/界面陷阱分类
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林若兵,王欣娟,冯倩,王冲,张进城,郝跃..AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究[J].物理学报,2008,57(7):4487-4491,5.基金项目
国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033)资助的课题. （批准号:60736033）
