物理学报2008，Vol.57Issue(7)：4492-4496,5.
高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响
Mechanism and impact of the double-hump substrate current in high-voltage double diffused drain MOS transistors
王俊 1王磊 2董业民 3邹欣 1邵丽 2李文军 3杨华岳3
作者信息
- 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
- 2. 中国科学院研究生院,北京,100049
- 3. 上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203
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王俊,王磊,董业民,邹欣,邵丽,李文军,杨华岳..高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响[J].物理学报,2008,57(7):4492-4496,5.
