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不同牺牲层材料上LPCVD氮化硅薄膜内应力的测试与研究

王莎莎 陈兢 张海霞

中国机械工程2005，Vol.16Issue(z1)：449-450,453,3.
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中国机械工程2005，Vol.16Issue(z1)：449-450,453,3.

不同牺牲层材料上LPCVD氮化硅薄膜内应力的测试与研究

Internal Stress Measurement of LPCVD Silicon Nitride Deposited on Different Substrates

王莎莎 1陈兢 1张海霞1

作者信息

  • 1. 北京大学微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871
  • 折叠

摘要

关键词

微机械系统/残余应力/薄膜/牺牲层/氮化硅

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王莎莎,陈兢,张海霞..不同牺牲层材料上LPCVD氮化硅薄膜内应力的测试与研究[J].中国机械工程,2005,16(z1):449-450,453,3.

基金项目

北京大学校长基金资助项目 （）

中国机械工程

OA北大核心CSCD

1004-132X

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