电子器件2008，Vol.31Issue(2)：449-452,4.
门极换流晶闸管(GCT)击穿机理的研究
Research on the Breakdown Mechanism of Gate Commutated Thyristor
摘要
关键词
电力半导体器件/门极换流晶闸管/场阻止层/透明阳极/击穿分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王彩琳,高勇,马丽,刘静..门极换流晶闸管(GCT)击穿机理的研究[J].电子器件,2008,31(2):449-452,4.基金项目
陕西省自然科学基金资助(2007E208) （2007E208）
西安理工大学科研基金资助(105-210610) （105-210610）
