|
国家科技期刊平台
|
注册
中文
EN
首页
|
期刊导航
|
半导体学报
|
多栅GaAs MESFET开关的结构设计
多栅GaAs MESFET开关的结构设计
陈新宇
郝西萍
陈继义
半导体学报
2004，Vol.25
Issue(4)：450-453,4.
下载
✕
半导体学报
2004，Vol.25
Issue(4)
：450-453,4.
多栅GaAs MESFET开关的结构设计
Multi-Gate GaAs MESFET Switch
陈新宇
1
郝西萍
1
陈继义
1
作者信息
1.
南京电子器件研究所,南京,210016
折叠
摘要
关键词
多栅
/
开关
/
金属半导体场效应晶体管
/
砷化镓
/
栅栅间距
分类
信息技术与安全科学
引用本文
复制引用
陈新宇,郝西萍,陈继义..多栅GaAs MESFET开关的结构设计[J].半导体学报,2004,25(4):450-453,4.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
CSTPCD
ISSN：
1674-4926
下载
访问量
0
|
下载量
0
段落导航
相关论文
摘要
关键词
分类
引用文本
