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深亚微米SOI栅控混合管(GCHT)的准二维电流解析模型

黄如 王阳元

半导体学报2000,Vol.21Issue(5):451-459,9.
半导体学报2000,Vol.21Issue(5):451-459,9.

深亚微米SOI栅控混合管(GCHT)的准二维电流解析模型

Quasi-two Dimensional Analytical Model of DeepSubmicrometer SOI Gate Controlled Hybrid Transistor (GCHT)

黄如 1王阳元1

作者信息

  • 1. 北京大学微电子所北京 100871
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摘要

关键词

栅控混合管/解析模型/SOI/深亚微米

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

黄如,王阳元..深亚微米SOI栅控混合管(GCHT)的准二维电流解析模型[J].半导体学报,2000,21(5):451-459,9.

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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