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退火对高Co含量Ti1-zCoxO2磁性半导体的影响

宋红强 王勇 颜世申 梅良模 张泽

物理学报2008，Vol.57Issue(7)：4534-4538,5.
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物理学报2008，Vol.57Issue(7)：4534-4538,5.

退火对高Co含量Ti1-zCoxO2磁性半导体的影响

Effect of annealing on the high Co-doped Ti1-xCoxO2 magnetic semiconductor

宋红强 1王勇 2颜世申 3梅良模 4张泽2

作者信息

  • 1. 山东大学威海分校空间科学与应用物理系,威海,264209
  • 2. 山东大学物理与微电子学院,济南,250100
  • 3. 中国科学院物理研究所,北京,100190
  • 4. 澳大利亚昆士兰大学工学院,澳大利亚
  • 折叠

摘要

关键词

磁性半导体/退火/磁性

分类

数理科学

引用本文复制引用

宋红强,王勇,颜世申,梅良模,张泽..退火对高Co含量Ti1-zCoxO2磁性半导体的影响[J].物理学报,2008,57(7):4534-4538,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:10234010,50102019)资助的课题. （批准号:10234010,50102019）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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