退火对高Co含量Ti1-zCoxO2磁性半导体的影响OA北大核心CSCDCSTPCD
Effect of annealing on the high Co-doped Ti1-xCoxO2 magnetic semiconductor
利用磁控溅射仪制备了高Co含量的Ti1-xCocO2磁性半导体样品,并对样品分别在200℃,300℃和400℃进行退火研究.使用透射电子显微镜(TEM)对退火前后样品的结构进行表征,并用X射线光电子能谱(XPS)对退火前后样品中Co元素的化学状态进行鉴定.结果表明高Co含量的Ti1-xCoxO2磁性半导体处于一种亚稳状态,300℃以上的温度便使其结构与成分发生巨大变化.利用超导量子干涉磁强计(SQUID)测量退火前后样品的磁特性.结果表明样品的磁…查看全部>>
宋红强;王勇;颜世申;梅良模;张泽
山东大学威海分校空间科学与应用物理系,威海,264209山东大学物理与微电子学院,济南,250100中国科学院物理研究所,北京,100190澳大利亚昆士兰大学工学院,澳大利亚山东大学物理与微电子学院,济南,250100
数理科学
磁性半导体退火磁性
《物理学报》 2008 (7)
表面与超薄膜磁性的实验和理论研究
4534-4538,5
国家自然科学基金(批准号:10234010,50102019)资助的课题.
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