电子科技大学学报2008，Vol.37Issue(3)：453-456,4.
高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源
High PSRR COMS Bandgap Voltage Reference
摘要
关键词
带隙基准电压源/互补型金属氧化物半导体/电源抑制比/温度系数分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
吴志明,黄颖,吕坚,王靓,李素..高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源[J].电子科技大学学报,2008,37(3):453-456,4.基金项目
国家杰出青年基金(60425101) （60425101）
