无机材料学报2005，Vol.20Issue(2)：453-458,6.
φ300mm的大直径直拉单晶硅勾形磁场下生长的数值模拟
Numerical Simulation of a Czochralski Silicon Crystal Growth with a Large Diameter 300mm Under a Cusp Magnetic Field
摘要
关键词
直拉法/勾形磁场/数值模拟分类
数理科学引用本文复制引用
宇慧平,隋允康,张峰翊,常新安,安国平..φ300mm的大直径直拉单晶硅勾形磁场下生长的数值模拟[J].无机材料学报,2005,20(2):453-458,6.基金项目
北京工业大学青年科技基金(JQ0105200372) （JQ0105200372）
