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衬底对化学气相沉积法制备氧化硅纳米线的影响

闫小琴 刘祖琴 唐东升 慈立杰 刘东方 周振平 梁迎新 袁华军 周维亚 王刚

物理学报2003,Vol.52Issue(2):454-458,5.
物理学报2003,Vol.52Issue(2):454-458,5.

衬底对化学气相沉积法制备氧化硅纳米线的影响

Effects of substrates on silicon oxide nanowires growth by thermal chemical vapor deposition

闫小琴 1刘祖琴 1唐东升 1慈立杰 1刘东方 1周振平 1梁迎新 1袁华军 1周维亚 1王刚1

作者信息

  • 1. 中国科学院物理研究所,中国科学院凝聚态物理中心,北京,100080
  • 折叠

摘要

关键词

化学气相沉积/纳米线/纳米颗粒

分类

数理科学

引用本文复制引用

闫小琴,刘祖琴,唐东升,慈立杰,刘东方,周振平,梁迎新,袁华军,周维亚,王刚..衬底对化学气相沉积法制备氧化硅纳米线的影响[J].物理学报,2003,52(2):454-458,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:19834080)资助的课题. (批准号:19834080)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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