西安电子科技大学学报（自然科学版）2001，Vol.28Issue(4)：456-461,6.
SiGe HBT基区渡越时间模型
A model of the base transit time of SiGe HBT
林大松 1张鹤鸣 2戴显英 3孙建诚 3何林3
作者信息
- 1. 西安电子科技大学微电子所，陕西西安710071
- 2. 模拟集成电路国家重点实验室，重庆400060
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摘要
关键词
SiGe HBT/模型/基区渡越时间分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
林大松,张鹤鸣,戴显英,孙建诚,何林..SiGe HBT基区渡越时间模型[J].西安电子科技大学学报（自然科学版）,2001,28(4):456-461,6.
