物理学报2008，Vol.57Issue(7)：4570-4574,5.
p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响
Effect of p-GaN layer thickness on the performance of p-i-n structure GaN ultraviolet photodetectors
摘要
关键词
GaN/外探测器/量子效率/暗电流分类
数理科学引用本文复制引用
周梅,赵德刚..p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响[J].物理学报,2008,57(7):4570-4574,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60776047)和中国农业大学青年教师科研启动基金(基金批准号:2006007)资助的课题. （批准号:60776047）
