首页|期刊导航|半导体学报|用微结构压印提高GaN基发光二极管的输出光强

用微结构压印提高GaN基发光二极管的输出光强

包魁章蓓代涛康香宁陈志忠王志敏陈勇

半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：464-466,3.

用微结构压印提高GaN基发光二极管的输出光强

Enhancement of Light Extraction from Microstructured GaN-Based Light Emitting Diodes by Technique of Nanoimprint

包魁 ¹章蓓 ¹代涛 ¹康香宁 ¹陈志忠 ¹王志敏 ¹陈勇¹

作者信息

1. 北京大学物理学院和宽禁带半导体研究中心,微流与纳米技术研究中心,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871
折叠

摘要

关键词

GaN基发光二极管/出光效率/纳米压印技术/微结构

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

包魁,章蓓,代涛,康香宁,陈志忠,王志敏,陈勇..用微结构压印提高GaN基发光二极管的输出光强[J].半导体学报,2007,28(z1):464-466,3.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60077022,60276034,60577030和60607003),北京市科技项目(批准号:H030430020230)和国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2007CB307004)资助项目（批准号:60077022,60276034,60577030和60607003）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1674-4926

访问量0

下载量0

段落导航