红外技术2002，Vol.24Issue(4)：46-48,26,4.
As离子注入碲镉汞的p+n结红外探测器
p+n Infrared Detectors by As Ion Implantation in HgCdTe
赵晋云 1曾戈红 1马智玲1
作者信息
- 1. 昆明物理研究所,云南,昆明,650223
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摘要
关键词
碲镉汞/HgCdTe/p+n结/红外探测器/退火/As离子注入分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
赵晋云,曾戈红,马智玲..As离子注入碲镉汞的p+n结红外探测器[J].红外技术,2002,24(4):46-48,26,4.
