发光学报2002，Vol.23Issue(5)：465-468,4.
生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响
Effect of Growth Temperature on Properties of In0.53Ga0.47As/InP Grown by LPMOCVD
摘要
关键词
铟镓砷/生长温度/低压金属有机化学气相沉积分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
缪国庆,金亿鑫,蒋红,周天明,李树玮,元光,宋航..生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响[J].发光学报,2002,23(5):465-468,4.基金项目
国家自然科学基金资助项目(5013202) （5013202）
