人工晶体学报2005，Vol.34Issue(3)：466-470,5.
缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响
Influence of Buffer Layer Thickness on the Properties of an Undoped GaN Layer Grown on Sapphire Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
摘要
关键词
缓冲层厚度/GaN/蓝宝石衬底/MOCVD分类
数理科学引用本文复制引用
吴洁君,韩修训,李杰民,黎大兵,魏宏远,康亭亭,王晓晖,刘祥林,王占国..缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响[J].人工晶体学报,2005,34(3):466-470,5.基金项目
国家自然科学基金(No.60376013,60136020)资助 （No.60376013,60136020）
