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场板结构AlGaN/GaN HEMT的电流崩塌机理

魏巍林若兵冯倩郝跃

物理学报2008，Vol.57Issue(1)：467-471,5.

Current collapse mechanism of field-plated AlGaN/GaN HEMTs

魏巍 ¹林若兵 ¹冯倩 ¹郝跃¹

作者信息

AlGaN/GaN HEMT/场板/电流崩塌

数理科学

魏巍,林若兵,冯倩,郝跃..场板结构AlGaN/GaN HEMT的电流崩塌机理[J].物理学报,2008,57(1):467-471,5.

国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:51327020301,2002CB311904)资助的课题. （973）

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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