半导体学报2000，Vol.21Issue(5)：473-479,7.
超薄外延CoSi2/n-Si的肖特基势垒接触特性
Characterization of Schottky Barrier Contact Between Ultra Thin Epitaxial CoSi2/n-Si
摘要
关键词
硅化钴/肖特基势垒/固相外延PACC:6855/8155/7330分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
屈新萍,茹国平,徐蓓蕾,李炳宗..超薄外延CoSi2/n-Si的肖特基势垒接触特性[J].半导体学报,2000,21(5):473-479,7.基金项目
国家自然科学基金(NSFC-69776005)资助项目[Project Supported by National Natural Science Foundation of China under Grant No. 69776005 (in Chinese)]. （NSFC-69776005）
