红外技术2006，Vol.28Issue(8)：474-477,4.
垂直p-n结的碲镉汞光伏探测器暗电流特性分析
Dark Current Characteristics Analyses of HgCdTe Photovoltaic Detectors with Vertical p-n Junction
摘要
关键词
碲镉汞/垂直结/光伏探测器/暗电流/模拟计算/实验分析分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
史衍丽..垂直p-n结的碲镉汞光伏探测器暗电流特性分析[J].红外技术,2006,28(8):474-477,4.基金项目
云南省培引人才项目资助(2004PY01-30) （2004PY01-30）
