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老炼过程对表面放电型ACPDP显示屏内MgO薄膜二次电子发射系数的影响

郭滨刚 胡文波 郑德修 何锋 刘纯亮

真空电子技术Issue(5):47-50,4.
真空电子技术Issue(5):47-50,4.

老炼过程对表面放电型ACPDP显示屏内MgO薄膜二次电子发射系数的影响

Influence of Aging Process to the Effective Secondary Electron Emission Coefficient of MgO Film in Surface Discharge ACPDP

郭滨刚 1胡文波 1郑德修 1何锋 1刘纯亮1

作者信息

  • 1. 西安交通大学,电子物理与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710049
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摘要

关键词

老炼/MgO/击穿电压/有效二次电子发射系数

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

郭滨刚,胡文波,郑德修,何锋,刘纯亮..老炼过程对表面放电型ACPDP显示屏内MgO薄膜二次电子发射系数的影响[J].真空电子技术,2005,(5):47-50,4.

基金项目

教育部科学技术研究重大项目"彩色PDP介质保护膜的制备与工艺优化"(No.0205-[2002]78)资助 (No.0205-[2002]78)

真空电子技术

1002-8935

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