物理学报2009，Vol.58Issue(1)：477-481,5.
半绝缘GaAs光电导开关非线性电脉冲超快上升特性研究
Ultrafast rising of output electric impulse of lock-on model of semi-insulated GaAs photoconductive switches
摘要
关键词
光电导开关/线性模式/激发电荷畴/升时间分类
数理科学引用本文复制引用
施卫,屈光辉,王馨梅..半绝缘GaAs光电导开关非线性电脉冲超快上升特性研究[J].物理学报,2009,58(1):477-481,5.基金项目
家自然科学基金(批准号:50837005,10876026),国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2007CB310406)和西安理工大学优秀博士论文基金资助的课题. （批准号:50837005,10876026）
