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半导体学报
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快速热退火在硅中引入的缺陷的研究
快速热退火在硅中引入的缺陷的研究
陆昉
陆峰
孙恒慧
邬建根
半导体学报
Issue(1)：48,1.
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半导体学报
Issue(1)
：48,1.
快速热退火在硅中引入的缺陷的研究
陆昉
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陆峰
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孙恒慧
1
邬建根
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摘要
关键词
硅
/
热退火
/
缺陷
/
深能级
/
载流子寿命
分类
信息技术与安全科学
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陆昉,陆峰,孙恒慧,邬建根..快速热退火在硅中引入的缺陷的研究[J].半导体学报,1990,(1):48,1.
半导体学报
OA
CSCD
ISSN：
1674-4926
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