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Si中Nd离子热退火行为的深能级瞬态谱研究

刘磁辉 林碧霞 王晓平 刘宏图 傅竹西

人工晶体学报2003,Vol.32Issue(5):483-487,5.
人工晶体学报2003,Vol.32Issue(5):483-487,5.

Si中Nd离子热退火行为的深能级瞬态谱研究

Study on Thermal Annealing Behavior of Nd Ion Implanted Silicon by Deep Level Transient Spectroscopy

刘磁辉 1林碧霞 1王晓平 1刘宏图 1傅竹西1

作者信息

  • 1. 中国科学院结构分析重点实验室,中国科技大学物理系,合肥,230026
  • 折叠

摘要

关键词

Nd离子注入/n型Si/深能级/热退火

分类

化学化工

引用本文复制引用

刘磁辉,林碧霞,王晓平,刘宏图,傅竹西..Si中Nd离子热退火行为的深能级瞬态谱研究[J].人工晶体学报,2003,32(5):483-487,5.

基金项目

国家自然科学基金委员会重大研究计划重点项目资助(90201038) (90201038)

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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