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强束流离子注入形成SOI结构时的温升效应的计算

田人和 顾永俶 卢武星 张荟星

半导体学报Issue(8)：484,1.
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半导体学报Issue(8)：484,1.

强束流离子注入形成SOI结构时的温升效应的计算

田人和 1顾永俶 1卢武星 1张荟星1

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摘要

关键词

离子注入/SOI结构/温升效应/计算

分类

信息技术与安全科学

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田人和,顾永俶,卢武星,张荟星..强束流离子注入形成SOI结构时的温升效应的计算[J].半导体学报,1993,(8):484,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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