| 注册
首页|期刊导航|物理学报|Ge/Si半导体量子点的应变分布与平衡形态

Ge/Si半导体量子点的应变分布与平衡形态

蔡承宇 周旺民

物理学报2007,Vol.56Issue(8):4841-4846,6.
物理学报2007,Vol.56Issue(8):4841-4846,6.

Ge/Si半导体量子点的应变分布与平衡形态

The strain distribution and equilibrium morphology of Ge/Si semiconductor quantum dot

蔡承宇 1周旺民1

作者信息

  • 1. 浙江工业大学机电工程学院,杭州,310032
  • 折叠

摘要

关键词

量子点/应变分布/自由能/平衡形态

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

蔡承宇,周旺民..Ge/Si半导体量子点的应变分布与平衡形态[J].物理学报,2007,56(8):4841-4846,6.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:90101004)资助的课题. (批准号:90101004)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文