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SiO2/Si上直流磁控反应溅射制备AIN薄膜

范克彬 沈伟东 王立春 熊斌

材料科学与工程学报2007,Vol.25Issue(1):48-51,4.
材料科学与工程学报2007,Vol.25Issue(1):48-51,4.

SiO2/Si上直流磁控反应溅射制备AIN薄膜

Preparation of AIN Thin Film by DC Sputtering on SiO2/Si and Analysis of Microstructure

范克彬 1沈伟东 2王立春 3熊斌1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200050
  • 2. 中国科学院研究生院,北京,100039
  • 3. 浙江大学,现代光学仪器国家重点实验室,浙江,杭州,310027
  • 折叠

摘要

关键词

氮化铝薄膜/正交设计/溅射参数/择优取向

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

范克彬,沈伟东,王立春,熊斌..SiO2/Si上直流磁控反应溅射制备AIN薄膜[J].材料科学与工程学报,2007,25(1):48-51,4.

材料科学与工程学报

OACSCDCSTPCD

1673-2812

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