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电容耦合氧等离子体处理ITO基片对OLED的影响

密保秀 陆希朗 高志强 谢国伟

南京邮电大学学报（自然科学版）2008，Vol.28Issue(1)：48-52,5.
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南京邮电大学学报（自然科学版）2008，Vol.28Issue(1)：48-52,5.

电容耦合氧等离子体处理ITO基片对OLED的影响

Influence of the Capacitive-coupling Oxygen Plasma Treatment on the ITO Substrate for OLED

密保秀 1陆希朗 2高志强 3谢国伟1

作者信息

  • 1. 南京邮电大学,江苏省有机电子与信息显示重点实验室,江苏,南京,210046
  • 2. 南京邮电大学,信息材料与纳米技术研究院,江苏,南京,210003
  • 3. 香港浸会大学,先进发光材料中心,中国 香港
  • 折叠

摘要

关键词

有机电致发光/表面处理/功函数

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

密保秀,陆希朗,高志强,谢国伟..电容耦合氧等离子体处理ITO基片对OLED的影响[J].南京邮电大学学报（自然科学版）,2008,28(1):48-52,5.

基金项目

南京邮电大学攀登计划(NY207013)和香港创新科技署广州-香港工业支持计划(ITC/05-06/06)资助项目 （NY207013）

南京邮电大学学报（自然科学版）

OACSTPCD

1673-5439

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