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InGaN基发光二极管和激光二极管

Matsushita T Sugimoto Y Kiyoku H Kozaki Sano M Matsumura Umimoto Chocho K Mukai Nagahama S Iwasa N Senoh

发光学报2001,Vol.22Issue(z1):48-52,5.
发光学报2001,Vol.22Issue(z1):48-52,5.

InGaN基发光二极管和激光二极管

InGaN-based Light-Emitting Diodes and Laser Diodes

Matsushita 1T 1Sugimoto 1Y 1Kiyoku 1H 1Kozaki 1Sano 1M 1Matsumura 1Umimoto 2Chocho 2K 2Mukai 2Nagahama 2S 2Iwasa 2N 2Senoh2

作者信息

  • 1. Nitride Semiconductor Research Laboratory, Nichia Corporation, 491 Oka,
  • 折叠

摘要

关键词

InGaN/发光二极管/激光二极管

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

Matsushita,T,Sugimoto,Y,Kiyoku,H,Kozaki,Sano,M,Matsumura,Umimoto,Chocho,K,Mukai,Nagahama,S,Iwasa,N,Senoh..InGaN基发光二极管和激光二极管[J].发光学报,2001,22(z1):48-52,5.

发光学报

OA北大核心CSCD

1000-7032

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